Глава 1. Физические принципы и материалы полупроводниковой электроники
Полупроводниковая электроника базируется на физике полупроводниковых материалов, обладающих специфическими энергетическими структурами, в которых присутствует запрещённая зона между валентной и зоной проводимости. Электронные свойства таких материалов определяются наличием донорных и акцепторных примесей, которые изменяют концентрацию носителей заряда и, следовательно, электропроводность. Важным физическим принципом является явление электронно-дырочного токопереноса, обусловленное движением электронов и дырок в полупроводнике под воздействием электрического поля. Используемые материалы — прежде всего кремний и арсенид галлия — характеризуются высокой кристаллической структурой и управляемой электронно-дырочной концентрацией, что позволяет создавать различные полупроводниковые приборы. Физика полупроводников охватывает также процессы рекомбинации и генерации носителей, а также влияние температурных и оптических факторов на электронные параметры, что является фундаментом для разработки элементов электроники и наноэлектроники с заданными функциональными характеристиками.
Нравится работа?
Работа оформлена по стандартам (ГОСТ/APA/MLA), подтверждена источниками и готова в срок.
