Статью подготовили специалисты образовательного сервиса Zaochnik.
Правило Хунда
Содержание:
- 21 декабря 2023
- 15 минут
- 722
То есть каждая орбиталь подслоя заполняется сначала одним электроном, и только после исчерпания незаполненных орбиталей на эту орбиталь примыкает -й электрон. Причем на -й орбитали находятся электрона с полуцелыми спинами противоположного знака, которые вместе образуют двухэлектронное облако. В итоге суммарный спин орбитали равняется .
Есть и другая формулировка правила Хунда: ниже по энергии находится атомный терм, для которого соблюдаются условия:
- В случае совпадения мультиплетностей суммарный орбитальный момент максимальный.
- Максимальная мультиплетность;
Рассмотрим правило на примере заполнения орбиталей -подуровня -элементов -го периода (т.е. от бора до неона (в представленной ниже схеме горизонтальными чертами обозначаются обитали, вертикальными стрелками – электроны, при этом направление стрелки показывает ориентацию спина).
Вначале появляется электрон на -орбитали, потом один электрон -орбитали, затем электрон на -орбитали, после чего появляются парные электроны на -, - и -орбиталях.
Формулировка правила означает, что состояние многоэлектронного атома описывается с помощью электронной конфигурации, то есть набора состояний, в которых находятся отдельные электроны. В общем виде этой электронной конфигурации отвечает несколько различных энергетических состояний атома. Причем каждое из этих состояний в силу сферической симметрии атома можно классифицировать по суммарному орбитальному моменту (квантовое число отвечает соответственно состояниям -типов), суммарному спину (квантовое число ) и полному моменту импульса атома как целого (квантовое число , которое при определенных и изменяется от до с шагом ). Например, атом в низших состояниях описывается электронной конфигурацией . При этом общее количество состояний, которые отвечают такой конфигурации, с учетом вырожденности определенных уровней равняется . При стандартном обозначении символом состояния атома - .
Наибольшую распространенность получили следующее правила Хунда:
- Из состояний атома с заданной электронной конфигурацией ниже по энергии те, которые отвечают большим значениям .
- Из состояния атома с заданной конфигурацией и заданным спином ниже по энергии те, которые отвечают большему значению .
Правило Хунда ограничено низко лежащими состояниями атомов с условием, что воздействие электронной корреляции (взаимной обусловленности движений электронов) небольшое и не нарушает границ применимости одно-конфигурационного приближения.
Для некоторых типов состояний существуют дополнительные правила, отвечающие изменению энергии атома при данной конфигурации и данных и в зависимости от . Данные правила связаны со спин-орбитальным взаимодействием и прочими тонкими эффектами. К примеру, если в конфигурации наблюдается только одна частично заполненная оболочка, тогда при заполнении оболочки менее чем на половину ("нормальный мультиплет") энергия увеличивается вместе с . В остальных случаях с увеличением энергия уменьшается ("обращенный мультиплет"). Таким образом, для атома С приведенные правила подтверждаются экспериментальными значениями энергий возбуждения из основного состояния : энергия перехода в, состояние равняется , в состояния .
Правила Хунда зачастую нарушаются, поскольку на одно-конфигурационные модели атомов и молекул редко можно положиться. С появлением прецизионных экспериментальных данных о спектрах атомов они утрачивают свою значимость.
Периодичность изменения свойств элементов
Радиус атомов и ионов
Для групп непереходных элементов атомные и ионные радиусы растут с увеличением порядкового номера . Наибольшее увеличение имеет место для двух наиболее легких членов группы и и наименьшее для двух наиболее тяжелых членов группы. Но при изменении атомных и ионных радиусов по периодам они в общем уменьшаются при увеличении заряда ядра . Чаще уменьшение наблюдается у элементов малых периодов, так как у них происходит заполнение внешнего электронного слоя. В больших периодах в пределах семейств - и -элементов происходит более плавное уменьшение радиусов. Данное уменьшение называется соответственно и сжатием, (поскольку данные элементы имеют электроны, которые обладают маленькой экранирующей способностью).
Сродство к Электрону
Сродство к электрону равняется энергии ионизации отрицательного иона (-му потенциалу ионизации , измеряется в ). Аналогично с потенциалом ионизации выделяют и сродство к электрону, а также вертикальное и адиабатическое сродство к электрону многоатомной частицы.
Надежных экспериментальных данных по сродству к электрону атомов и молекул до середины -х гг. в. практически не было. В наши дни применение равновесных методов получения и анализа отрицательных ионов предоставило возможность получить первые сродства к электрону для большинства элементов периодической системы и несколько сотен органических и неорганических молекул. Наиболее перспективные методы определения сродства к электрону – фотоэлектронная спектроскопия (точность ) и масс-спектрометрическое исследование равновесий ионно-молекулярных реакций. Квантовомеханические расчеты сродства к электрону такие же как и расчеты потенциалов ионизации. Наивысшая точность для многоатомных молекул равна .
Наибольшее сродство к электрону имеют атомы галогенов. Для ряда элементов сродство к электрону близко к 0 или меньше 0. Последнее значит, что для данного элемента устойчивого отрицательного иона не существует.
Сродство к электрону молекул составляет обычно от до .
Существуют молекулы с очень высокими значениями сродства к электрону-гекса-, пента- и тетрафториды переходных металлов. Наибольшей из известных в настоящие дни величиной сродства к электрону обладает .
Сродство к электрону определяет окислительную способность частицы. Молекулы с высокими значениями сродства к электрону являются сильными окислителями. При помощи них удалось получить химические соединения благородных газов, соединения внедрения в графите.
Существование многозарядных (-х и более) многоатомных отрицательных ионов в основном состоянии в газовой фазе до сих пор научно не подтверждено. Возможно только квантовомеханическое вычисление или расчет по циклу Борна-Габера -го или более высокого сродства к электрону для молекул. Для ряда молекул -е сродство к электрону, полученное таким образом, является существенно положительным .
Электроотрицательность
Если в двухатомной молекуле образующие связь электроны притягиваются к атому сильнее, чем к атому , то атом В считается более электроотрицательным, чем .
Л. Полинг предложил в -м году для количественной характеристики электроотрицательности применять термохимические данные об энергии связей и соответственно и . Энергия гипотетической ковалентной связи принимается равной среднему арифметическому или среднему геометрическому значению величин и . Если электроотрицательности атомов и различные, тогда связь перестает быть чисто ковалентной и энергия связи становится больше на величину :
.
Чем больше разница электроотрицательностей атомов и , тем больше значение . Используя эмпирическую формулу (множитель появляется при переводе значений энергии из в ) и принимая для атома водорода произвольную величину электроотрицательности равную , Полинг получил удобную шкалу относительных числовых значений электроотрицательности. Наибольше всего электроотрицателен самый легкий из галогенов – , а меньше всего – тяжелые щелочные металлы.
Для количественного описания электроотрицательности, помимо термохимических данных, применяют и данные о геометрии молекул (например, метод Сандерсона), спектральные характеристики (например, метод Горди).
Окислительно-восстановительные способности
Окислительно-восстановительную способность выражают в милливольтах . Пример окислительно-восстановительного электрода: . Окислительно-восстановительный потенциал определяется как электрический потенциал, устанавливающийся при погружении платины либо золота (инертный электрод) в окислительно-восстановительную среду, т.е. в раствор, который содержит как восстановленное соединение (), так и окисленное соединение (). В случае если полуреакцию восстановления записать уравнением
,
тогда количественная зависимость окислительно-восстановительного потенциала от концентрации (вернее активностей) реагирующих веществ определяется по уравнению Нернста.
Окислительно-восстановительный потенциал определяется с помощью электрохимических методов с применением стеклянного электрода с функцией и выражается в милливольтах относительно стандартного водородного электрода при стандартных условиях.
Энергия ионизации и ионизационный потенциал
Энергия ионизации представляет собой одну из основных характеристик атома, от которой существенно зависят природа и прочность образуемых атомом химических связей. От энергии ионизации атома в большей мере зависят также и восстановительные свойства соответствующего простого вещества.
Для многоэлектронного атома есть также понятия -го, -го и т. д. ионизационных потенциалов, что является энергией удаления электрона от его свободных невозбужденных катионов с зарядами и т. д. Данные ионизационные потенциалы обычно менее важны для описания химического элемента.
У энергии ионизации всегда наблюдается эндо-энергетическое значение (чтобы оторвать электрон от атома, нужно приложить энергию, само собой это случиться не может).
На энергию ионизации атома наибольшее воздействие оказывают следующие факторы:
- Эффективный заряд ядра, который является функцией количества электронов в атоме, экранирующих ядро и находящихся на более глубоко лежащих внутренних орбиталях;
- Радиальное расстояние от ядра до максимума зарядовой плотности наружного, наиболее слабо связанного с атомом и покидающего его при ионизации, электрона;
- Мера проникающей способности данного электрона;
- Межэлектронное отталкивание среди наружных (валентных) электронов.
Энергия ионизации также зависит и от таких менее значительных факторов, как квантовомеханическое обменное взаимодействие, спиновая и зарядовая корреляция и пр.
Энергия ионизации элементов измеряется в Электрон-Вольт на атом либо в Джоуль на моль.
Навигация по статьям